一、臺(tái)積電公司概況與核心地位
臺(tái)積電(臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司)成立于1987年,臺(tái)積電由張忠謀創(chuàng)立,臺(tái)積電是臺(tái)積電全球首家專注于晶圓代工(Foundry)模式的半導(dǎo)體制造企業(yè)。總部位于中國臺(tái)灣省新竹科學(xué)園區(qū),臺(tái)積電2022年?duì)I收達(dá)760.22億美元,臺(tái)積電員工超4.8萬人。臺(tái)積電其創(chuàng)新商業(yè)模式打破了傳統(tǒng)IDM(集成設(shè)備制造)模式,臺(tái)積電通過專注于代工服務(wù),臺(tái)積電釋放了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)行業(yè)的臺(tái)積電創(chuàng)造力,成為蘋果、臺(tái)積電英偉達(dá)、臺(tái)積電AMD等科技巨頭的臺(tái)積電核心供應(yīng)商。
二、臺(tái)積電2025年第一季度財(cái)務(wù)表現(xiàn)
1. 營收與利潤:
2025年Q1營收255.3億美元(約8393億新臺(tái)幣),臺(tái)積電同比增長35.3%;凈利潤110億美元(3616億新臺(tái)幣),同比大增60.3%,創(chuàng)單季歷史新高。盡管環(huán)比受季節(jié)性因素影響略有下滑,但毛利率仍達(dá)58.8%,經(jīng)營利潤率48.5%,凸顯高端制程的盈利能力。
2. 制程貢獻(xiàn):
先進(jìn)制程(7nm及以下)占晶圓營收的73%,其中3nm、5nm、7nm分別貢獻(xiàn)22%、36%、15%。3nm產(chǎn)能持續(xù)爬坡,5nm需求保持強(qiáng)勁,尤其在AI和高性能計(jì)算(HPC)領(lǐng)域。
3. 業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu):
HPC(高性能計(jì)算)首次超越智能手機(jī)成為最大收入來源,占比59%,同比增82%;智能手機(jī)占比28%,車用電子環(huán)比增長14%,顯示多元化市場布局。
三、技術(shù)進(jìn)展與產(chǎn)能擴(kuò)張
1. 先進(jìn)制程研發(fā):
2. 封裝技術(shù):
CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能預(yù)計(jì)2025年翻倍,2026年仍供不應(yīng)求。臺(tái)積電計(jì)劃通過擴(kuò)產(chǎn)滿足AI芯片對高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求。
3. 全球布局:
四、市場驅(qū)動(dòng)與未來展望
1. AI與HPC需求:
2025年AI相關(guān)營收(GPU/ASIC等)預(yù)計(jì)翻倍,2024-2029年復(fù)合增長率(CAGR)達(dá)44%-46%。英偉達(dá)、AMD等客戶的AI芯片訂單是核心驅(qū)動(dòng)力。
2. 長期增長目標(biāo):
公司維持2024-2029年?duì)I收CAGR 15%-20%的預(yù)期,計(jì)劃資本支出380-420億美元/年,70%-80%投入先進(jìn)制程。
3. 應(yīng)對挑戰(zhàn):
五、風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)
1. 技術(shù)風(fēng)險(xiǎn):High NA EUV光刻機(jī)成本效益評估尚未完成,可能影響2nm以下工藝進(jìn)展。
2. 供應(yīng)鏈穩(wěn)定性:地緣沖突、自然災(zāi)害(如地震)可能沖擊產(chǎn)能,需持續(xù)提升供應(yīng)鏈韌性。
3. 人才爭奪:英特爾等競爭對手加大對臺(tái)積電技術(shù)人才的挖角,加劇行業(yè)競爭。
臺(tái)積電憑借技術(shù)領(lǐng)先、全球化產(chǎn)能布局及AI驅(qū)動(dòng)的市場需求,在半導(dǎo)體行業(yè)維持絕對龍頭地位。未來2nm工藝量產(chǎn)、CoWoS封裝擴(kuò)產(chǎn)及海外工廠落地將成為關(guān)鍵增長點(diǎn),但需平衡地緣政治與成本壓力。長期來看,其“技術(shù)代差”優(yōu)勢仍是核心護(hù)城河。